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“胡正明教授的技术你们已经拿到手了？”胡长风问道。

“胡教授这个人，还有他的技术，我们安盛技术情报司一直在跟踪。”周至说道：“他47年出生于BJ，68年从台岛大学电机系毕业；1969年赴加州大学伯克利分校留学，先后获得硕士、博士学位；73年博士毕业后前往麻省理工学院任助理教授；76年回到加州大学伯克利分校电子工程与计算机科学系任教；”

“胡教授第一次来大陆是1985年，应严东生院士邀请，胡正明和另外两位美国科学家，向国家部委提出了发展微电子科学技术的战略性重要咨询建议。”

“1990年，胡正明在北大与清华设置五名研究生奖学金，并鼓励中国留学生回国发展半导体工业。同时担任旧金山东湾中文学校董事长，与父亲胡素鸿先生、弟弟胡正大博士在金坛市第一中学设立胡氏奖助基金，用以奖励每届高中毕业生中品学兼优、家境较差而有志升大学者。”

“去年，胡正明理论成熟，创办思略微电子有限公司兼任董事长。”

“我们集团是95年开始从技术上关注他的，当时他领导研究出BSIM，从实际MOSFET晶体管的复杂物理推演出一种新型的数学模型。”周至看了一眼麦小苗：“在小苗的提醒下，我们注意到该数学模型可以成为设计芯片的标准，且属于全新的结构，一旦被证实为可靠，那么就可以利用热电子失效的物理机制，开发出用碰撞电离电流快速预测器件寿命的方法，并且提出薄氧化层失效的物理机制和用高电压快速预测薄氧化层寿命的方法。”

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