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“各位董事，要是EUVLLC联盟在未来二年内从理论上证明研制EUV光刻机的技术可行，将这个宝贵的机会和重任交给GCA，公司不可能放弃，但投资巨大，半导体产业陷入衰退又不可避免，避免两线作战，造成资金捉襟见肘，我们只能将重心放在EUV光刻机的研制上。我建议艾德里安先生和汤普森院长出面找SVG商谈，联合开发157nm激光器。”

孙健估计，EUVLLC联盟在明年底前就能证明制造EUV光刻机在理论上的可行性，但EUV光刻机量产最起码还需要10年，如今也不能告诉大家，到时由BSEC免费提供193nm浸没式光刻机专利技术给GCA。

BSEC是在GCA拥有的第一代193nmArF准分子激光器专利技术基础上研发成功193nm浸没式光刻机技术，核心还是GCA拥有技术专利的193nm准分子激光器，GCA研制的第二代、第三代193nm准分子激光器也授权BSEC技术；虽然浸没式光刻技术属于BSEC重新开发的公司发明专利，但按照当初签订的专利技术授权转让合同，要免费授权给GCA使用，就像GCA去年研发成功的第三代（12英寸晶圆、90nm制程工艺）磁悬浮式双工作台系统，专利还是属于BSEC，授权GCA免费使用。

15um800nm制程工艺的光刻机配套6英寸晶圆，500nm180nm制程工艺光刻机配套8英寸晶圆，90nm以下的都配套12英寸晶圆，相配套的磁悬浮工作台系统分别称为第一代、第二代、第三代，一代中还有子代，核心技术还是BSEC拥有公司发明专利的第一代。

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