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另一个时空，光刻机的发展经过了一个漫长的过程，1960年代的接触式光刻机、接近式光刻机，到1970年代的投影式光刻机，1980年代的步进式光刻机，到步进式扫描光刻机，到浸入式光刻机和8102年的EUV光刻机，设备性能不断提高，推动集成电路按照摩尔定律往前发展。

曝光光源方面，从1960年代初到1980年代中期，汞灯已用于光刻，其光谱线分别为436nm（g线）、405nm（h线）和365nm（i线）。然而，随着半导体行业对更高分辨率（集成度更高和速度更快的芯片）和更高产量（更低成本）的需求，基于汞灯光源的光刻工具已不再能够满足半导体业界的高端要求。

1982年，IBM的KantiJain开创性的提出了“excimerlaserlithography（准分子激光光刻）”，并进行了演示，现在准分子激光光刻机器（步进和扫描仪）在全球集成电路生产中得到广泛使用。在在发展的30年中，准分子激光光刻技术一直是摩尔定律持续推进的关键因素。使得芯片制造中的最小特征尺寸从1990年的500nm推进至2016年10nm，再到8102年的台积电和三星实现量产的7nm产品。

这其中，汞灯的436nm（g线）、405nm（h线）和365nm（i线），准分子激光248nm都指的是光刻机用来光刻的曝光光源。

1971年Intel公司推出的10微米全球第一款4004微处理器，再到1980年2微米工艺的256KbDRAM，1984年1微米工艺的1MbDRAM，再到1991年此时即将问世的0.35微米工艺的64MbDRAM……10微米到0.35微米，指的是通过光刻机光刻等工艺，在芯片内部中，晶体管之间或者线最小可以做到的距离。

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