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令余子贤兴奋的是，在蔡俊杰的研究资料里面看见了光刻技术工序工艺中，与最重要工艺的电子束曝光系统对应的微米级掩模的制造。

听着好像有点绕口、难懂，但是要说这种微米掩模技术的先进性，还得从掩模技术的发展说起。

芯片的生产流程图简单来说要经过IC设计、制版、芯片加工，封装、测试包装几大环节，如果简单地打个比方来说，如果比喻成一本书的印刷的话，就是：写作、排版、印刷、装订、检验、打包。

而前面说的掩模对应书本印刷里面的排版，只要排好版了，对着版面印刷，才能印出一本整齐漂亮的书。同理，在芯片加工之前，需要将设计好的芯片版图进行制版，只有以此为模板，进行芯片制造光刻，才能制造出裸晶，再这些裸晶中检测挑选出好的，最后芯片进行封装，才算是一颗可用的芯片。

再往细了说，就是光刻工艺是芯片制造中最为重要的工艺步骤之一。主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上，为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。

在芯片制作过程的光刻工序，通常需要经过多次光刻工艺，在半导体晶体表面的介质层上开凿各种掺杂窗口、电极接触孔或在导电层上刻蚀金属互连图形。

而光刻工艺需要一整套（几块多至十几块）相互间能精确套准的、具有特定几何图形的光复印掩蔽模版，简称光掩模版。

光掩制造技术是随着平面工艺的诞生逐渐发展起来的。

在1963年共和国就已经研制成功了平面晶体管和硅数字集成电路。这时候就是沿用的传统的照相术，首先在铜板纸上喷涂一层黑漆，然后用手术刀人工刻图、截图，采用大型照相机照相制成掩模板。

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